ИНДИЯ АРСЕНИД

ОБЗОРЫ РЫНКОВ
	Исследование рынка резиновых спортивных товаров в России
	Исследование рынка медболов в России
	Рынок порошковых красок в России
	Рынок минеральной ваты в России
	Рынок СБС-каучуков в России
	Рынок подгузников и пеленок для животных в России
	Рынок впитывающих пеленок в России
	Анализ рынка преформ 19-литров в России
	Исследование рынка маннита в России
	Анализ рынка хлорида кальция в России
>> Все отчеты

ОТЧЕТЫ ПО ТЕМАМ
	Базовая химия и нефтехимия
	Продукты оргсинтеза
	Синтетические смолы и ЛКМ
	Нефтепереработка
	Минеральные удобрения
	Полимеры и синтетические каучуки
	Продукция из пластмасс
	Биохимия
	Автохимия и автокосметика
	Смежная продукция
	Исследования «Ad Hoc»
	Строительство
	In English

СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ

Алфавитный указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

ИНДИЯ АРСЕНИД InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,605886 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см³, жидкого 5,850 г/см³ (970 °С); С⁰_p 49,32 Дж/(моль.К); DH⁰_пл 77,2 кДж/моль, DH⁰_обр -57,9 кДж/молъ. S⁰₂₉₈ 76 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 5,19.10^-⁶ К^-¹; теплопроводность 122 Вт/(м.К). Полупроводник: e 11,7; ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости т_е = 0,22m₀, дырок m_р = 0,33m₀ (m₀ - масса своб. электрона); подвижность электронов 3,4.10⁴ см²/(В.с) при 300 К и 8,2.10⁴ см²/(В.с) при 77 К, подвижность дырок 460 см²/(В.с) при 300 К и 690 см²/(В.с) при 77 К. И. а. устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. соляной и серной к-тами, водными р-рами сильных окислителей (напр., Н₂О₂), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной к-т, а также азотной и соляной к-т с Н₂О₂. Эти смеси используют для травления пов-сти кристаллов И. а. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают И. а. в кварцевых ампулах взаимод. расплава In с парами As, давление к-рых составляет 32,7 кПа при 800-900 °С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В₂О₃ в атмосфере инертного газа (Аr, Не, N₂) при давлении 40-50 кПа (осн. способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InAs в расплаве In при 650-700 °С; осаждением из газовой фазы: пары AsCl₃ или НС1 пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону р-ции и взаимод. с парами AsCl₃ или AsH₃ при 700 °С, давая InAs; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со св-вами полупроводников n- или р-типа используют добавки соотв. Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. И. а. - полупроводникoвый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лит. см. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.

===
Исп. литература для статьи «ИНДИЯ АРСЕНИД»: нет данных

Страница «ИНДИЯ АРСЕНИД» подготовлена по материалам химической энциклопедии.